Пока что на рынке энергозависимой и энергонезависимой памяти господствуют DRAM и NAND, однако аналитики уже довольно давно предсказывают конец эпохи тотальной монополии этих технологий и появление новых типов запоминающих устройств вроде PCRAM, MRAM, NRAM и так далее. Хорошим примером этому утверждению являются, например, новости об успехах IBM и Numonyx в области разработки PCRAM.

Еще одной такой новостью стало сообщение о создании мощного альянса между титанами Toshiba и Hynix, которые собираются вести совместную разработку и производство магнитнорезистивной оперативной памяти STT MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory).

Над памятью MRAM ученые различных компаний работают уже довольно долгое время к примеру, полупроводниковый гигант Freescale, являвшийся тогда еще подразделением Motorola, начал исследования еще в 1995 году.

Принцип работы такой памяти схож с принципом формирования битов на магнитных сердечниках, использовавшихся еще в 1955 году – MRAM представляет собой матрицу ячеек, состоящую из нескольких тончайших слоев с разными магнитными свойствами, при этом в каждой из таких «клеточек», помимо элемента памяти, содержится один транзистор.

MRAM, в сегодняшнем ее состоянии, более энергоэффективна, чем DRAM – последней требуется постоянно поддерживать заряд ячеек-конденсаторов, тогда как ячейки первой сохраняют намагниченность самостоятельно, не требуя при этом для считывания и записи больших затрат энергии. Уже не первый год поговаривают о замене флэш-памяти памятью MRAM.

Что же касается скорости чтения и записи у MRAM – инженеры IBM уже демонстрировали образцы этой памяти со временем доступа 2 миллисекунды, что намного быстрее, чем у любой, даже самой продвинутой памяти типа DRAM, так что скорость для MRAM – это не проблема. В конечном итоге MRAM может стать заменой не только флеш-памяти, но и оперативной памяти в сегодняшнем понимании этого выражения.

Понятно, что на все эти исследования и начало производства нужно очень много времени и денег, так что скорого перехода в ближайшие годы, определенно, ждать не стоит.

«Мы верим, что MRAM обладает огромным потенциалом как хорошо масштабируемая и энергонезависимая память с произвольным доступом» — говорит Киеши Кобаяси (Kiyoshi Kobayashi), вице-президент Toshiba Corporation, являющийся также президентом и CEO подразделения Toshiba Semiconductor and Storage Products Company. «Мы приложим все свои силы к рекламированию и внедрению MRAM наравне с решениями NAND и HDD. В этом нам, несомненно, помогут совместные исследования в области MRAM с компанией Hynix».

Toshiba и Hynix пока не говорят о каких-то реальных продуктах, и даже не упоминают примерные сроки их появления на рынке.