20-нанометровая NAND-память
Intel в сотрудничестве с Micron объявили о разработке 8-гигабайтного NAND-чипа флеш-памяти, изготавливаемого по 20-нанометровому техпроцессу. Площадь новинки составляет 118 квадратных миллиметров, что позволяет использовать на 30-40 % меньше полезного пространства по сравнению с существующими 8-гигабайтными NAND-чипами, изготовленными по 25-нанометровому техпроцессу.
Уменьшение размера чипов памяти позволит производителям смартфонов и планшетных компьютеров улучшить различные характеристики своих девайсов – использовать более емкую батарею, больший экран, а также установить дополнительные чипы, обеспечивающие дополнительные параметры.
Ожидается, что массовое производство новой памяти начнется во второй половине 2011 года, тогда же мы увидим и новые 16-гигабайтные модули, используя которые, можно будет создавать 128-гигабайтные SSD-накопители размером меньше почтовой марки.
