Техника наизнанку — GadgetBlog.ru
Планшеты / Финтес / Консоли / Ретро / Ноутбуки / Источники питания / Накопители / Android / iOS / Космос / События / Здоровье / Улыбнись / Дизайн / Интервью / Навигация / Зеленые технологии / ТВ

Intel и Micron анонсируют 20-нм технологию флеш-памяти NAND

Intel и Micron не собираются останавливаться на достигнутом, и регулярно оповещают публику об освоении новых, более «тонких», технологических процессов производства флеш-памяти. В прошлом году компании анонсировали 25-нм технологию, на днях же вышел пресс-релиз, повествующий о переходе на 20-нм техпроцесс.

Intel и Micron анонсируют 20-нм технологию флеш-памяти NAND

Первые чипы MLC NAND на основе 20-нм техпроцесса имеют объем 8 ГБ и размещаются на площади всего в 118 квадратных миллиметров (а это на 30-40% меньше, чем у памяти прошлого поколения). Разумеется, уплотнение компонентов вовсе не означает, что нельзя комбинировать несколько 8 ГБ чипов для создания более емкого накопителя. То есть, уже в ближайшее время мы увидим смартфоны, планшеты и мультимедиа-плееры с очень вместительной по сегодняшним меркам встроенной флеш-памятью (то же касается и новых, емких SSD для ПК).

Производство памяти начнется во второй половине 2011 года. Более того, в ближайшем обозримом будущем Intel и Micron планируют показать в два раза более емкие чипы объемом 16 ГБ, которые позволят уместить до 128 ГБ на площадь, занимаемую почтовой маркой.

Горячее
2019 © "Техника наизнанку — GadgetBlog.ru". Все права защищены. Карта сайта. info@gadgetblog.ru