Компании Samsung, одному из лидирующих производителей компьютерных компонентов, удалось разработать модуль оперативной памяти стандарта DDR4, который (благодаря технологии Pseudo Open Drain) потребляет на 40% меньше электроэнергии, чем присутствующие сегодня на рынке планки стандарта DDR3.

Пропускная способность новых модулей в пике достигает 2,13 Гбит/с при питающем напряжении 1,2 вольта. И со временем Samsung планирует усовершенствовать свою разработку, добившись производительности 4 Гбит/с. Если сравнивать с памятью DDR3, построенной на эквивалентном 30-нм техпроцессе, то ее пиковая скорость будет равна 1,6 Гбит/с при 1,5 вольтах.

Компания уже сейчас начинает работу с производителями серверов (ведь сервера – идеальный полигон для обкатки подобных комплектующих), но совершенно ясно, что такие энергоэффективные и скоростные модули памяти будут очень кстати в лэптопах и прочих мобильных девайсах будущего.